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technische information / technical information igbt-module igbt-modules fp35r12ks4c g elektrische eigenschaften / electrical properties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values diode gleichrichter/ diode rectifier periodische rckw. spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage v rrm 1600 v durchla?strom grenzeffektivwert rms forward current per chip i frmsm 40 a dauergleichstrom dc forward current t c = 80c i d 35 a sto?strom grenzwert t p = 10 ms, t vj = 25c i fsm 315 a surge forward current t p = 10 ms, t vj = 150c 260 a grenzlastintegral t p = 10 ms, t vj = 25c i 2 t 500 a 2 s i 2 t - value t p = 10 ms, t vj = 150c 340 a 2 s transistor wechselrichter/ transistor inverter kollektor-emitter-sperrspannung collector-emitter voltage v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom tc = 55 c i c,nom. 35 a dc-collector current t c = 25 c i c 40 a periodischer kollektor spitzenstrom repetitive peak collector current t p = 1 ms, t c = 55 c i crm 70 a gesamt-verlustleistung total power dissipation t c = 25c p tot 230 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitter peak voltage v ges +/- 20v v diode wechselrichter/ diode inverter dauergleichstrom dc forward current tc = 55 c i f 35 a periodischer spitzenstrom repetitive peak forw. current t p = 1 ms i frm 70 a grenzlastintegral i 2 t - value v r = 0v, t p = 10ms, t vj = 125c i 2 t 310 a 2 s transistor brems-chopper/ transistor brake-chopper kollektor-emitter-sperrspannung collector-emitter voltage v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom t c = 80 c i c,nom. 17,5 a dc-collector current t c = 25 c i c 35 a periodischer kollektor spitzenstrom repetitive peak collector current t p = 1 ms, t c = 80c i crm 35 a gesamt-verlustleistung total power dissipation t c = 25c p tot 180 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitter peak voltage v ges +/- 20v v diode brems-chopper/ diode brake-chopper dauergleichstrom dc forward current tc = 55 c i f 10 a periodischer spitzenstrom repetitive peak forw. current t p = 1 ms i frm 20 a prepared by: a.schulz date of publication: 2001-11-28 approved by: m.hierholzer revision: 2 1/11 db-pim-s_igbt_v2.xls 2001-11-28
technische information / technical information igbt-module igbt-modules fp35r12ks4c g modul isolation/ module isolation isolations-prfspannung insulation test voltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. ntc connected to baseplate v isol 2,5 kv elektrische eigenschaften / electrical properties charakteristische werte / characteristic values diode gleichrichter/ diode rectifier min. typ. max. durchla?spannung forward voltage t vj = 150c, i f = 35 a v f - 1,15 - v schleusenspannung threshold voltage t vj = 150c v (to) - - 0,8 v ersatzwiderstand slope resistance t vj = 150c r t - - 10,5 m w sperrstrom reverse current t vj = 150c, v r = 1600 v i r - 2 - ma modul leitungswiderstand, anschlsse-chip lead resistance, terminals-chip t c = 25c r aa'+cc' - 4 - m w transistor wechselrichter/ transistor inverter min. typ. max. kollektor-emitter s?ttigungsspannung v ge = 15v, t vj = 25c, i c = 35 a v ce sat - 3,75 4,35 v collector-emitter saturation voltage v ge = 15v, t vj = 125c, i c = 35 a - 4,5 - v gate-schwellenspannung gate threshold voltage v ce = v ge , t vj = 25c, i c = 1 ma v ge(to) 4,5 5,5 6,5 v eingangskapazit?t input capacitance f = 1mhz, t vj = 25c v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies - 1,5 - nf kollektor-emitter reststrom collector-emitter cut-off current gate-emitter reststrom gate-emitter leakage current v ce = 0v, v ge =20v, t vj =25c i ges - - 400 na einschaltverz?gerungszeit (ind. last) i c = i nenn , v cc = 600 v turn on delay time (inductive load) v ge = 15v, t vj = 25c, r g = 22 ohm t d,on - 60 - ns v ge = 15v, t vj = 125c, r g = 22 ohm - 60 - ns anstiegszeit (induktive last) i c = i nenn , v cc = 600 v rise time (inductive load) v ge = 15v, t vj = 25c, r g = 22 ohm t r - 50 - ns v ge = 15v, t vj = 125c, r g = 22 ohm - 50 - ns abschaltverz?gerungszeit (ind. last) i c = i nenn , v cc = 600 v turn off delay time (inductive load) v ge = 15v, t vj = 25c, r g = 22 ohm t d,off - 340 - ns v ge = 15v, t vj = 125c, r g = 22 ohm - 400 - ns fallzeit (induktive last) i c = i nenn , v cc = 600 v fall time (inductive load) v ge = 15v, t vj = 25c, r g = 22 ohm t f - 50 - ns v ge = 15v, t vj = 125c, r g = 22 ohm - 60 - ns einschaltverlustenergie pro puls i c = i nenn , v cc = 600 v turn-on energy loss per pulse v ge = 15v, t vj = 125c, r g = 22 ohm e on - 4,5 - mws l s = 50 nh abschaltverlustenergie pro puls i c = i nenn , v cc = 600 v turn-off energy loss per pulse v ge = 15v, t vj = 125c, r g = 22 ohm e off - 2,3 - mws l s = 50 nh kurzschlu?verhalten t p 10s, v ge 15v, r g = 22 ohm sc data t vj 125c, v cc = 720 v i sc - 160 - a di/dt = 2800 a/s ma - - v ge = 0v, t vj = 25c, v ce = 1200 v i ces 5 2/11 db-pim-s_igbt_v2.xls 2001-11-28
technische information / technical information igbt-module igbt-modules fp35r12ks4c g elektrische eigenschaften / electrical properties charakteristische werte / characteristic values min. typ. max. modulinduktivit?t stray inductance module l s ce - - 100 nh modul leitungswiderstand, anschlsse-chip lead resistance, terminals-chip t c = 25c r cc'+ee' - 7 - m w diode wechselrichter/ diode inverter min. typ. max. durchla?spannung v ge = 0v, t vj = 25c, i f = 35 a v f - 1,95 2,35 v forward voltage v ge = 0v, t vj = 125c, i f = 35 a - 1,8 - v rckstromspitze i f =i nenn , - di f /dt = 1400a/s peak reverse recovery current v ge = -10v, t vj = 25c, v r = 600 v i rm - 40 - a v ge = -10v, t vj = 125c, v r = 600 v - 45 - a sperrverz?gerungsladung i f =i nenn , - di f /dt = 1400a/s recovered charge v ge = -10v, t vj = 25c, v r = 600 v q r - 3,5 - as v ge = -10v, t vj = 125c, v r = 600 v - 7,5 - as abschaltenergie pro puls i f =i nenn , - di f /dt = 1400a/s reverse recovery energy v ge = -10v, t vj = 25c, v r = 600 v e rq - 1,3 - mws v ge = -10v, t vj = 125c, v r = 600 v - 2,5 - mws transistor brems-chopper/ transistor brake-chopper min. typ. max. kollektor-emitter s?ttigungsspannung v ge = 15v, t vj = 25c, i c = 17,5 a v ce sat - 2,3 2,75 v collector-emitter saturation voltage v ge = 15v, t vj = 125c, i c = 17,5 a - 2,7 - v gate-schwellenspannung gate threshold voltage v ce = v ge , t vj = 25c, i c = 0,6ma v ge(to) 4,5 5,5 6,5 v eingangskapazit?t input capacitance f = 1mhz, t vj = 25c v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies - 1,0 - nf kollektor-emitter reststrom v ge = 0v, t vj = 25c, v ce = 1200 v i ces - 1,0 500 a collector-emitter cut-off current v ge = 0v, t vj = 125c, v ce = 1200 v - 1,2 - ma gate-emitter reststrom gate-emitter leakage current v ce = 0v, v ge = 20v, t vj = 25c i ges - - 300 na schaltverluste und -bedingungen switching losses and conditions siehe datenblatt (wechselrichter) see datasheet (inverter) bsm15gp120 diode brems-chopper/ diode brake-chopper min. typ. max. durchla?spannung t vj = 25c, i f = 17,5 a v f - 2,7 3,05 v forward voltage t vj = 125c, i f = 17,5 a - 2,6 - v schaltverluste und -bedingungen switching losses and conditions siehe datenblatt (wechselrichter) see datasheet (inverter) bsm10gp120 ntc-widerstand/ ntc-thermistor min. typ. max. nennwiderstand rated resistance t c = 25c r 25 - 5 - k w abweichung von r 100 deviation of r 100 t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5 5 % verlustleistung power dissipation t c = 25c p 25 20 mw b-wert b-value r 2 = r 1 exp [b(1/t 2 - 1/t 1 )] b 25/50 3375 k 3/11 db-pim-s_igbt_v2.xls 2001-11-28
technische information / technical information igbt-module igbt-modules fp35r12ks4c g thermische eigenschaften / thermal properties min. typ. max. innerer w?rmewiderstand gleichr. diode/ rectif. diode r thjc - - 1 k/w thermal resistance, junction to case trans. wechsr./ trans. inverter - - 0,55 k/w diode wechsr./ diode inverter - - 0,8 k/w trans. bremse/ trans. brake - - 0,7 k/w diode bremse/ diode brake - - 2,3 k/w bergangs-w?rmewiderstand gleichr. diode/ rectif. diode l paste =1w/m*k r thck - 0,04 - k/w thermal resistance, case to heatsink trans. wechsr./ trans. inverter l grease =1w/m*k - 0,02 - k/w diode wechsr./ diode inverter - 0,04 - k/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur maximum junction temperature t vj max - - 150 c betriebstemperatur operation temperature t vj op -40 - 125 c lagertemperatur storage temperature t stg -40 - 125 c mechanische eigenschaften / mechanical properties innere isolation internal insulation al 2 o 3 cti comperative tracking index 225 anzugsdrehmoment f. mech. befestigung m 3 nm mounting torque 10% gewicht weight g 300 g 4/11 db-pim-s_igbt_v2.xls 2001-11-28
technische information / technical information igbt-module igbt-modules fp35r12ks4c g i c [a] v ce [v] i c [a] v ce [v] ausgangskennlinienfeld wechselr. (typisch) i c = f (v ce ) output characteristic inverter (typical) v ge = 15 v 0 10 20 30 40 50 60 70 0 1 2 3 4 5 6 tj = 25c tj = 125c 0 10 20 30 40 50 60 70 0 1 2 3 4 5 6 vge = 20v vge = 15v vge = 12v vge = 10v vge = 8v ausgangskennlinienfeld wechselr. (typisch) i c = f (v ce ) output characteristic inverter (typical) t vj = 125c 5/11 db-pim-s_igbt_v2.xls 2001-11-28
technische information / technical information igbt-module igbt-modules fp35r12ks4c g i c [a] v ge [v] i f [a] v f [v] durchla?kennlinie der freilaufdiode wechselr. (typisch) i f = f (v f ) forward characteristic of fwd inverter (typical) 0 10 20 30 40 50 60 70 0 2 4 6 8 10 12 14 tj = 25c tj = 125c bertragungscharakteristik wechselr. (typisch) i c = f (v ge ) transfer characteristic inverter (typical) v ce = 20 v 0 10 20 30 40 50 60 70 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 tj = 25c tj = 125c 6/11 db-pim-s_igbt_v2.xls 2001-11-28
technische information / technical information igbt-module igbt-modules fp35r12ks4c g 600 v 22 ohm e [mws] i c [a] 600 v e [mws] r g [ w ] schaltverluste wechselr. (typisch) e on = f (i c ), e off = f (i c ), e rec = f (i c ) v cc = switching losses inverter (typical) t j = 125c, v ge = 15 v, r gon = r goff = 0 2 4 6 8 10 12 14 0 10 20 30 40 50 60 70 80 eon eoff erec 0 1 2 3 4 5 6 7 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 eon eoff erec schaltverluste wechselr. (typisch) e on = f (r g ), e off = f (r g ), e rec = f (r g ) switching losses inverter (typical) t j = 125c, v ge = +-15 v , i c = i nenn , v cc = 7/11 db-pim-s_igbt_v2.xls 2001-11-28
technische information / technical information igbt-module igbt-modules fp35r12ks4c g z thjc [k/w] t [s] 22 ohm i c [a] v ce [v] transienter w?rmewiderstand wechselr. z thjc = f (t) transient thermal impedance inverter 0,01 0,1 1 0,001 0,01 0,1 1 10 zth-igbt zth-fwd sicherer arbeitsbereich wechselr. (rbsoa) i c = f (v ce ) reverse bias save operating area inverter (rbsoa) t vj = 125c, v ge = 15v, r g = 0 10 20 30 40 50 60 70 80 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 ic,modul ic,chip 8/11 db-pim-s_igbt_v2.xls 2001-11-28
technische information / technical information igbt-module igbt-modules fp35r12ks4c g i c [a] v ce [v] i f [a] v f [v] 0 5 10 15 20 25 30 35 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 tj = 25c tj = 125c durchla?kennlinie der brems-chopper-diode (typisch) i f = f (v f ) forward characteristic of brake-chopper-fwd (typical) ausgangskennlinienfeld brems-chopper-igbt (typisch) i c = f (v ce ) output characteristic brake-chopper-igbt (typical) v ge = 15 v 0 5 10 15 20 25 30 35 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 tj = 25c tj = 125c 9/11 db-pim-s_igbt_v2.xls 2001-11-28
technische information / technical information igbt-module igbt-modules fp35r12ks4c g i f [a] v f [v] r[ w ] t c [c] durchla?kennlinie der gleichrichterdiode (typisch) i f = f (v f ) forward characteristic of rectifier diode (typical) 0 10 20 30 40 50 60 70 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 tj = 25c tj = 150c ntc- temperaturkennlinie (typisch) r = f (t) ntc- temperature characteristic (typical) rtyp 100 1000 10000 100000 0 20 40 60 80 100 120 140 160 10/11 db-pim-s_igbt_v2.xls 2001-11-28
technische information / technical information igbt-module igbt-modules fp35r12ks4c g schaltplan/ circuit diagram geh?useabmessungen/ package outlines mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. this technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. 2 3 1 21 23 22 24 20 19 13 4 16 15 11 18 17 12 5 6 10 7 14 ntc 9 8 11/11 db-pim-s_igbt_v2.xls 2001-11-28
nutzungsbedingungen die in diesem produktdatenblatt enthaltenen daten sind ausschlie? lich fr technisch geschultes fachpersonal bestimmt. die beurteilung der geeignetheit dieses produktes fr die von ihnen an visierte anwendung sowie die beurteilung der vollst?ndigkeit der bereitgestellten produktdaten fr diese anwendung obliegt ihnen bzw. ihren technischen abteilungen. in diesem produktdatenblatt werden diejenigen merkmale beschrieben, fr die wir eine liefervertragliche gew?hrleistung bernehmen. eine solche gew?hrleistung richtet sich ausschlie?lich nach ma?gabe der im jeweiligen liefervertrag enthaltenen bestimmungen. garantien jeglicher art werden fr das produkt und dessen eigenschaften keinesfalls bernommen. sollten sie von uns produktinformationen ben?tigen, die ber den inhalt dieses produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische verwendung und den einsatz dies es produktes betreffen, setzen sie sich bitte mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsbro in verbindung (siehe www.eupec.com, ve rtrieb&kontakt). fr interessenten halten wir application notes bereit. aufgrund der technischen anforderungen k?nnte unser produkt gesundheitsgef?hrdende substanzen enthalten. bei rckfragen zu den in diesem produkt jeweils enthaltenen substanzen setzen si e sich bitte ebenfalls mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsb ro in verbindung. sollten sie beabsichtigen, das produkt in gesundheits- oder lebensgef?hrdenden oder lebenserhaltenden anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um mitteilung. wir weisen darauf hin, dass wir fr diese f?lle - die gemeinsame durchfhrung eines risiko- und qualit?tsassessments; - den abschluss von speziellen qualit?tssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame einfhrung von ma?nahmen zu einer laufenden produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die belieferung von der umsetzung solcher ma?nahmen abh?ngig machen. soweit erforderlich, bitten wir sie, entsprechende hinweise an ihre kunden zu geben. inhaltliche ?nderungen dieses produktdatenblatts bleiben vorbehalten. terms & conditions of usage the data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. you and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the produ ct data with respect to such application. this product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. there will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. should you require product information in excess of the data giv en in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). f or those that are specifically interested we may provide application notes. due to technical requirements our product may contain dangerous substances. for information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. should you intend to use the product in health or live endange ring or life support applications, please notify. please note, th at for any such applications we urgently recommend - to perform joint risk and quality assessments; - the conclusion of quality agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. if and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. changes of this product data sheet are reserved.

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